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原子層沉積系統(tǒng)

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產(chǎn)品名稱:
原子層沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概要: 美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統(tǒng),包括:傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)(Power-ALD)。
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參數(shù)

美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統(tǒng),包括:傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)(Power-ALD)。
 
儀器簡介:
原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD),也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。
原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源,化學(xué)吸附至表面飽和時自動終止,適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件極佳的工具。
ALD的優(yōu)點包括:
1. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)精確控制薄膜的厚度,從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜;
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;
3. 可生成極好的三維保形性化學(xué)計量薄膜,作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層;
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;
5. 薄膜生長可在低溫下進(jìn)行(室溫到400度以下);
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底;
7. 原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。


 
技術(shù)參數(shù):
基片尺寸:4英寸、6英寸、8英寸、12英寸;
加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);
均勻性: < 1%;
前驅(qū)體數(shù):4路(可選配6路);
兼容性: 可兼容100級超凈室;
尺寸:950mm x 700mm;
ALD,PE-ALD,粉末ALD技術(shù);


 
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括:
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2) 導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3) 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5) 納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material);
6) 生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);
9) 透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);


 
目前可以沉積的材料包括:
1) 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2) 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3) 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4) 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5) 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6) 復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7) 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

 

參考用戶:
北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、哈工大、南方科技大學(xué)、電子科技大學(xué)、上海大學(xué)、上海理工大學(xué)、湖南大學(xué)、河南大學(xué)、華僑大學(xué)、中科院大連化物所、中科院化學(xué)所、中科院長春應(yīng)化所等。

關(guān)鍵詞:
原子層沉積;原子層沉積系統(tǒng);ALD;
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